5Gデバイスを含む次世代の技術により、高度で複雑なチップ設計がますます求められています。そのためこれまで以上に厳しい製造プロセス条件やそのコントロールが不可欠です。
このような製造技術の進化に伴い、より過酷な化学物質の使用やプロセスの高温化が進み、シールやガスケットの摩耗や損傷が大きくなる可能性があります。
3M™ ダイニオン™ パーフルオロエラストマーをシールやガスケットに使用することで、過酷なプロセス条件によるシールやガスケットの損傷を防ぎ、その交換頻度を下げるなど、半導体製造装置の高寿命化と生産性の改善に貢献します。
3Mの材料は、数十年のフッ素樹脂の設計と製造経験に基づいたものであり、半導体産業においても長い実績を有しています。3Mは、より良い半導体製造プロセスを構築するための材料を提供するだけでなく、半導体産業特有の課題やその進化する技術ニーズを満たすための専門的な技術サポートを提供します。
成膜からエッチングなどのプロセスは、半導体製造装置においてそれぞれ特有の課題があります。3M™ ダイニオン™ パーフルオロエラストマーは、ウェットプロセスやプラズマエッチングなどの過酷なプロセス条件においても優れた信頼性を発揮するように材料設計されています。
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