3M CMPパッドfor 電子・半導体部材

3M™ トライザクト™ CMPパッドの性能を支えるのは、3Mの技術プラットフォームの一つであるマイクロレプリケーション技術です。この技術により、耐久性に優れた微細な3次元構造をパッド表面に正確に刻むことができます。

精密にコントロールされた3次元構造の凹凸と微細孔は、独立したユニットセルに配置されており、ウエハー全体に対する研磨と圧力の均一化を実現し、先端ノードに理想的な性能を発揮します。
3M独自のマイクロレプリケーション技術により設計されたこのパッドは1000枚以上のウエハーの処理後もその寸法を維持しており、従来のパッドと比べて摩耗が15分の1以下に抑えられます[1、p. 6]。

3M™トライザクト™ CMPパッドは、精密で均一な平坦化を高速で実現します。従来のパッドの場合、平坦化プロセスに余裕を持たせるために、シリコン窒化膜の上に2000オングストローム（Å）以上の酸化膜を蒸着させる必要がありました。一方で3MのCMPパッドの場合、必要な酸化膜の厚さはその65%に留まります。これはCMPプロセスに使用する酸化膜とスラリーを節約することにつながります。さらに、除去する材料の量が少ないことから、研磨に必要な時間も短くなります。実験では、ダイヤモンドコンディショナーを使用した従来のパッドと比較して、酸化膜の除去に必要な時間が50%以上短縮されることが明らかになっています。