3M™ 半導体CMP材料

半導体チップの製造では、精密に制御され、細心の配慮がなされた積層プロセスで集積回路が形成されます。半導体製造プロセスでは、半導体ウエハーの表面を平坦で異物が付着していないように、ウエハーを研磨して平坦にしたうえで、次の積層プロセスに進むことを繰り返します。この化学機械的平坦化（化学機械的研磨ともいいます）プロセスでは、表面に細かい凹凸（テクスチャー）がある硬質または軟質のCMPパッド、パッドコンディショナー、専用のCMPスラリーの組み合わせを使用してウエハーを研磨します。

長い時間使用したCMPパッドは、一貫した研磨性能を維持するために、CMPパッドコンディショナーを使用して定期的に表面をならす必要があります。パッドコンディショナーは硬質材料または軟質材料のどちらでも製作でき、のどちらに対しても製作でき、サイズ、テクスチャー、機能で設計することで、さまざまなタイプのパッドをコンディショニングできます。先端ノードで目的とするCMP研磨性能を実現するために、パッド、スラリー、コンディショナーの統合的最適化がこれまで以上に必要になっています。

3Mが擁する多数の技術プラットフォームの多様性を、先端半導体CMPパッドコンディショナーとCMPパッドに活用しています。当社のソリューションは、先端半導体CMPプロセスからの要望に対応できるように設計されています。このような要望として、ばらつきの低減、平坦化性能の向上、調整可能な選択性、長寿命、プロセスの一貫性と安定性、材料汚染の低減、歩留まりの向上などがあります。